南京国科半导体取得一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片专利 为生长高质量外延片打好坚实基础

金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，南京国科半导体有限公司取得一项名为“一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片”的专利，授权公告号CN222941161U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型涉及电池外延片技术领域，具体涉及一种GaSbxAs1‑x空间四节电池外延片；包括GaSb层、GaAs缓冲层和GaAs衬底，GaSb层、GaAs缓冲层和GaAs衬底从上至下依次设置，GaAs缓冲层的生长所需温度为580℃，GaSb层的生长所需温度为480℃‑560℃，通过研究了GaAs基上大失配GaSb材料的MBE外延生长；采用优化的生长温度与III‑V束流比等关键生长参数，用合适的生长速率得到表面形貌较好的外延样品，为接着生长高质量的GaSbxAs1‑x空间四节电池的外延片打好坚实的基础。

天眼查资料显示，南京国科半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本401.43万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国科半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目8次，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界